華為哈勃投資天域半導體：發力第三代半導體材料碳化硅

除了投資“芯片之母”EDA企業，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司，后者注冊資本也從9027萬元增加到9770萬元，增幅8%。

據悉，東莞市天域半導體成立于2009年，位于松山湖高新技術產業園區，是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。

2010年公司與中科院半導體所合作成立“碳化硅技術研究院”，目前已引進三臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備，生產技術達到國際先進水平。

至于深圳哈勃科技，華為技術有限公司則出自69%、華為終端出資30%、哈勃科技出資1%，今年4月剛剛成立。

所謂第三代半導體，主要是二十一世紀以來以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導體材料，即高溫半導體材料。第一代半導體材料主要是硅（Si）、鍺元素（Ge），第二代主要是化合物半導體材料。

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